根据官网APP的半导消息，半导体板块在经历了一轮显著上涨后，体板惕估开始出现估值过热的块结风险。追踪芯片板块的束连受iShares半导体ETF(SOXX.US)之前连续18个交易日上涨，创造了罕见的涨市值过连涨记录，但这一趋势在周一结束，场警储概iShares半导体ETF下跌了1.34%。热存市场的念股注意力随之转向投资者是否应继续关注芯片股。
在截至上周五的青睐18连涨期间，iShares半导体ETF累计上涨近50%，半导尤其是体板惕估在英特尔(INTC.US)业绩强劲和AMD(AMD.US)评级上调的带动下，上周五该ETF单日上涨近5%。块结然而，束连受快速上涨带来了估值的涨市值过压力。
根据FactSet的场警储概数据，iShares半导体ETF目前的远期市盈率接近26倍，明显高于10年平均的约19倍，并且较标普500指数溢价17%。历史上，该ETF相较于大盘一般会有小幅折价。
分析人士表示，当前市场几乎是在“为完美定价”。Interactive Brokers的首席策略师Steve Sosnick警告，主要风险在于市场预期过高，企业业绩可能难以维持超出预期的增长。
在个股表现方面，本轮上涨几乎涵盖了整个芯片板块。即使表现最差的高通(QCOM.US)自3月30日以来也上涨了16%。英伟达(NVDA.US)虽然上涨了22%，在板块中也被视为“落后者”。
涨幅领先的个股包括Credo Technology(CRDO.US)、Astera Labs(ALAB.US)和英特尔，这三者在18连涨期间均实现翻倍。同时，迈威尔科技(MRVL.US)、AMD、德州仪器(TXN.US)、美光科技(MU.US)以及Arm Holdings(ARM.US)的涨幅均超过50%。
Bespoke Investment Group指出，与iShares半导体ETF走势大致相同的费城半导体指数当前可能已显得过热。历史上，仅在2002年互联网泡沫破裂后的低点反弹阶段有一次18日区间涨幅高于本次。
另一方面，并非所有细分板块都被认为是估值过高。Mizuho的分析师Jordan Klein表示，在CPU概念股的热潮推动下，存储芯片可能仍具备更好的性价比。
他指出，尽管美光(MU.US)和闪迪(SNDK.US)也大幅上涨，其估值明显低于AMD、Arm和英特尔。美光未来12个月的预期市盈率仅约6倍，闪迪约10倍，而AMD、英特尔和Arm分别高达42倍、74倍和103倍。
市场人士分析，未来资金可能会从高估值的AI算力主线部分转移到存储板块。尤其在AI推动存储需求结构性增长的背景下，美光和闪迪可能仍具备重估空间。
然而，也有策略师提醒，半导体行业本质上仍属于周期性行业。JonesTrading的首席市场策略师Mike O’Rourke指出，尽管当前行业处于强劲增长周期，短期需求仍有支撑，但周期越大，上升末期的风险可能也会增大。