根据官网APP的存储三杰消息，过去一年，年内能燃存储芯片股经历了显著的狂飙上涨，关键因素在于芯片价格的期还飙升、毛利率的多久提升和自由现金流的激增。受到这些因素的存储三杰驱动，美光科技(MU.US)、年内能燃闪迪(SNDK.US)和SK海力士(在美国IPO之前)的狂飙股价呈现出飞速的增长。过去一年，期还美光的多久累计涨幅超过700%，闪迪则达到了惊人的存储三杰3400%; SK海力士在韩国上市后也录得600%的涨幅。尽管7月曾遭遇大跌，年内能燃但8月存储市场又出现反弹，狂飙市场对存储超级周期的期还持续性仍存疑虑。

当前存储超级周期的多久形成，直接源于人工智能基础设施的大规模建设，导致了供需的严重失衡。存储市场主要包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存(可长期保存数据)，两者在AI需求上均经历了快速增长。

高带宽内存(HBM)是市场的主要驱动力，该技术与GPU及其他AI芯片密切相关，旨在降低延迟和功耗。HBM已成为整个AI产业链最关键的瓶颈之一，因此SK海力士、三星与美光这三大DRAM制造商将大量资源投入以追赶需求，导致DRAM市场供给紧张，价格上涨。

闪存则广泛用于企业级的大容量固态硬盘(SSD)中，用于存储训练数据。由于三大存储厂商在疫情后曾减产并转向DRAM，而现在又将重心转向HBM，闪存的供应同样受到限制。疫情期间，电子消费品需求大幅上升，但随着限制解除，该市场快速降温。

历史规律表明，市场最终将出现崩盘，但本轮周期似乎有所不同。从历史数据来看，存储芯片股往往难逃周期的规律——繁荣期伴随着供给扩张，最终导致供过于求，价格回落。然而，这轮周期表现出一些异常特征。

首先，AI基础设施的需求仍在持续增长，没有放缓的迹象。其次，存储制造商，特别是在HBM领域的企业，面临产能不足，供给受多重因素制约，包括：制造HBM和先进逻辑芯片(如GPU)所需的极紫外(EUV)光刻设备产能扩张受限; HBM所需晶圆产能是普通DRAM的三倍以上; 以及新建洁净室所需的漫长前期准备时间。最后，所有存储厂商，包括专注于闪存的闪迪，都前所未有地锁定了长期供应合同。

综上所述，DRAM和NAND两大存储周期的上行轨道仍然向前延展，而当前的股票估值尚未充分反映这一前景，存储芯片制造商有望继续成为AI领域的核心投资标的。