官网APP获悉，花旗花旗分析师将美光科技(MU.US)的将美目标价从425美元大幅提高至840美元，并维持“买入”评级，光M格明原因是上调预计该公司将提升动态随机存取内存(DRAM)价格。

分析师指出：“我们将美光的至美涨目标价从425美元（对应2027年每股收益的5倍）上调至840美元（对应2027年每股收益的8倍），因我们相信继三星在第一自然年提价100%后，元预美光将在第二自然年将DRAM价格提升40%以上。年上此外，花旗我们预计DRAM市场的将美景气周期将持续至2027年，并预测高带宽内存（HBM）价格明年也会上涨。光M格明”

分析提到，上调今年大部分DRAM价格上涨是至美涨由于商品化或非HBM DRAM的供需失衡。虽然应用材料（AMAT.US）等设备制造商预期硅系统销售额增长超30%，元预我们认为到2026年底，年上DRAM的花旗位元供应增长率将达到30%，但仍需新增晶圆产能来满足2027年的AI需求。花旗的研究判断显示，2026年DRAM的平均售价将同比大幅上涨200%，而NAND的平均售价也将上涨186%。

韩国公司SK海力士和三星电子是全球最大的内存芯片生产商。SK海力士是英伟达HBM芯片的主要供应商，而三星与美光在这一领域与SK海力士竞争。

花旗分析师指出，HBM供应依然紧张，并补充称，基于3比4的晶圆转换率以及HBM与商品市场间的利润差异，目前内存制造商没有增加HBM产能的强烈动力。3比4的晶圆转换率是指3英寸与4英寸半导体衬底间的加工成本对比。

分析师还表示，由于HBM产能紧张，他们预期HBM价格在2027年将上扬，且内存制造商在增加供应时会持谨慎态度，以防明年AI数据中心减少HBM的使用量。上周，为应对强劲的定价，思科在20多个产品中减少了DRAM配件量50%。

HBM的制造流程复杂，包括储存芯片行业最复杂的技术，且严格的洁净室和更高的绿色能效要求限制了产能快速扩展。通常情况下，当价格对芯片厂商有利时，供应会迅速增加，但当前行业面临不少结构性挑战，尤其是HBM的制造与封装工艺复杂，使得通用DRAM和NAND的供给弹性不足，而AI驱动的需求快速攀升。

在第一季度业绩电话会议上，美光管理层特别提到了AI基础设施相关的高容量数据中心SSD及与英伟达AI算力基础设施相关的PCIe Gen6 SSD需求的激增。这表明AI相关存储芯片的需求远超华尔街分析师的预期。现代AI基础设施不仅需要更多的HBM内存，还需要高带宽DRAM和更大存储容量，以及高速SSD基础设施，以满足不断增长的AI负载需求。

正如美光科技数据中心业务副总裁Jeremy Werner在最近的采访中所说，从AI数据中心的数据流处理逻辑来看，这一轮行情的驱动因素不仅是“AI需要更多计算芯片”，而是AI智能体主导的时代将内存/存储推向了系统瓶颈。

AI训练依赖于大规模并行计算，而推理，尤其是在长上下文、多轮对话中，需要持续维护KV Cache和上下文状态；如果内存/存储空间不足，模型将不得不重复计算历史状态，导致GPU利用率下降和token生成成本上升。因此，HBM、DDR5、LPDDR、企业级SSD及HDD/Data Lake正在形成从GPU到存储的“AI记忆链”，决定AI系统的吞吐能力、延迟和经济性。这也是为何美光、三星、SK海力士、闪迪及西部数据等存储股整体上涨：需求不仅集中在HBM，而是向DRAM、NAND、SSD及HDD全链条扩散。